TẠO LỚP LAI CÓ PHẢI LÀ CÁCH DUY NHẤT

TẠO LỚP LAI CÓ PHẢI LÀ CÁCH DUY NHẤT

ĐỂ DÁN COMPOSITE VÀO MÔ RĂNG?

 

 

XỬ LÝ BỀ MẶT DÁN TẠO LỚP LAI - HYBRID LAYER

 

Trước khi đặt composite vào xoang trám, chúng ta cần phải xử lý bề mặt men và ngà bằng một tiến trình lâm sàng tương đối thân thuộc. Đó là hai kỹ thuật total-etch (xoi mòn bằng axit, rửa, thổi khô, bôi keo chiếu đèn) và self-etch (bôi keo và chiếu đèn) để tạo một lớp lai (hybrid layer) trên bề mặt men và ngà nhằm dán chắc vật liệu trám (composite) vào bề mặt răng thông lớp lai này. 

 

Để có thể thực hiện những bước lâm sàng rất khác nhau ở từng loại keo dán của từng hãng sản xuất một cách đầy tự tin. Chúng ta cần hiểu rõ về cơ chế dán vật liệu vào mô răng bằng keo dán. Keo dán là cầu nối dán composite vào mô răng theo hai cơ chế hoá học và cơ học, trong đó, lực dán chủ yếu là lực dán cơ học nhờ vào các vi lưu trên men và ngà. 

 
       

Bề mặt bị ăn mòn bằng acid                                             Keo dán xâm nhập vào bề mặt ăn mòn tạo lưu cơ học

 

 

Khái niệm smear layer: Smear layer là lớp mô tồn đọng trên bề mặt men/ngà do quá trình mài răng. Smear layer có thành phần gồm sợi collagen, vi khuẩn, các chất hữu cơ của ngà và các vụn men. Những thế hệ keo dán đầu tiên chỉ dán vào lớp smear layer nên lực dán rất thấp. Vì bản thân smear layer là một lớp mô nhiễm ngăn cản keo dán và composite có thể tiếp xúc với mô ngà. Do đó, có nhiều quan điểm cho rằng: cần phải loại bỏ hoặc điều chỉnh smear layer. Trong kỹ thuật total-etch, smear layer được lấy đi hoàn toàn bằng bước bôi acid để bộc lộ toàn bộ bề mặt ngà. Trong kỹ thuật self-etch, tuỳ mức độ mà smear layer có thể bị điều chỉnh, phá vỡ, hay hoà tan, và mặc dù những chất lắng đọng không được rửa nhưng keo dán vẫn có thể xâm nhập sâu vào mô ngà. 

 

Sự ăn mòn bề mặt mô răng là do dùng acid phosphoric trong kỹ thuật total-etch và những monomer có tính acid trong kỹ thuật self-etch sẽ lấy đi hydroxyapatite tạo ra một vùng mất khoáng ngay sau khi bôi acid (total-etch) hoặc đồng thời lúc bôi keo (self-etch) giúp keo dán và composite có thể tương tác với bề mặt mô răng. 

 

Lớp lai (hybrid layer): Một trong những mục tiêu để tạo lập thành công giao diện dán là tạo điều kiện để cho keo và composite thấm sâu vào mô ngà đã bị ăn mòn bằng acid. Một lớp lai tiêu chuẩn có sự thấm đủ keo dán và/hoặc compostie vào đến tận phần mô răng chưa ăn mòn bên dưới. Điều kiện để cho keo dán có thể thấm sâu là bề mặt mô sau khi ăn mòn bằng acid là bề mặt phải còn đủ ẩm để thành phần ưa nước trong keo dán kết hợp với nước và theo nước thấm sâu vào mô đã ăn mòn. Trong trường hợp bề mặt mô sau ăn mòn bị thổi quá khô, thành phần ưa nước không có nước để hoà tan sâu vào trong bề mặt đã ăn mòn. Mặt khác, khi thổi quá khô khung collagen bị sụp xuống ngăn cản keo dán xâm nhập. Nếu keo dán/composite không đến phần men/ngà chưa ăn mòn sẽ tạo nên những bọt khí bên dưới lớp lai và có nguy cơ bong tróc lớp lai. 

 

   
Lớp lai không tốt có nhiều bọt khí bên dưới
 
  

Lớp lai chuẩn có sự thấm hoàn toàn keo dán/composite đến phần men không bị ăn mòn

 

XỬ LÝ BỀ MẶT DÁN TẠO VÙNG TƯƠNG TÁC NANO

 

Gần đây hãng vật liệu nha khoa nổi tiếng GC đã cho ra thị trường một sản phẩm keo dán G-BOND với một cách xử lý bề mặt dán hoàn toàn khác với phương pháp truyền thống đã dùng. 

 

G-BOND là một hệ thống self-etch nhẹ không lấy hết khoáng chất chung quanh sợi collagen mà để lại khoáng chất xuyên suốt toàn bộ bề dày vùng khử khoáng. Vùng này gọi là vùng tương tác nano cung cấp sự lưu giữ vi cơ học và củng cố cho kết dính hóa học mạnh mẽ, ổn định với ngà răng cũng như sự bền vững lâu dài của vật liệu trám

 

G-BOND sử dụng cả 4-MET và phosphoric ester monomer để đạt sự dán dính hóa học mạnh mẽ với hydroxyapatite. Không những cung cấp tính lưu giữ, mà phản ứng hóa học còn tạo ra vùng kháng axit mạnh hơn, đem lại sự bền vững tuyệt vời về mặt vật lý và hóa học tại giao diện liên kết.


     
Liên kết mạnh giữa phosphoric ester monomer               Liên kết giữa gốc acid hữu cơ và cacium yếu hơn
 

“Hình ảnh giao diện hình thành bởi G-BOND hoàn toàn khác so với giao diện hình thành bởi các vật liệu dán trước đây. Bề mặt ngà chỉ mất canxi ở mức độ không đáng kể, và hầu như không bộc lộ sợi collagen.

Điều này cho thấy một giao diện cực kỳ mỏng (300 nanomet hay ít hơn) được hình thành và trong vùng này, các monomer chức năng trong vật liệu dán phản ứng với hydroxyapatite ở mức độ “nano” để tạo thành canxi không hòa tan. Khi so sánh với lớp lai “thông thường”, thì giao diện này cùng với lớp phản ứng ở mức độ nano và hiện tượng thiếu sự bộc lộ hoàn toàn các sợi collagen, có ít nguy cơ bị thoái hóa bởi enzyme trong miệng. Vì vậy, giao diện hình thành bởi G-BOND được cho là mạnh mẽ hơn và bền hơn so với giao diện tạo ra bởi các vật liệu dán khác. Có một tên gọi thích hợp hơn để nêu bật đặc tính này của giao diện, đó là “Vùng tương tác nano” (NIZ) hay lớp phản ứng mức độ nano, trái ngược với tên gọi lớp lai truyền thống”.

Khái niệm Vùng Tương Tác Nano là một khái niệm mới do GC đề ra đã làm thay đổi quan điểm về cơ chế dán dính của keo dán. Thực tế lâm sàng đã chứng minh tính dán mạnh và bền của G-BOND cho thấy vùng tương tác nano có thể sẽ là một trong những kiểu dán mới cho việc dán vật liệu trám vào mô răng.

 

 

Bài viết có sử dụng hình ảnh từ bài Is Total-Etch Dead? Evidence Suggests Otherwise của tác giả Gary Alex, DMD đăng trên tạp chí Compendium of Continuing Education in Dentistry
 
Xin chân thành cám ơn Gary Alex

Bạn có thể dành chút thời gian đánh giá bài viết này được không? Ý kiến của bạn sẽ giúp SSP mang lại những bài viết tốt hơn tới bạn.

Đánh giá: 4.17 - tổng số: 6 đánh giá

Những bài viết liên quan

08 Jan

SỨ NHA KHOA - PHẦN III: LỰA CHỌN SỨ CHO MÃO RĂNG CHỊU LỰC, CẦN CẨU NHÀ CAO TẦNG

Khi quyết định đặt một phục hồi vào miệng, bất cứ nha sỹ nào cũng đều biết rằng: Chiếc cần cẩu mong manh này sẽ phải tải một lực rất lớn, theo mọi phương, với nhịp điệu bất thường. Nhưng bệnh nhân cần một phục hồi đáp ứng chức năng nhưng phải có màu giống răng! Vật liệu sứ chắc chắn là một chọn lựa tốt.   Xem thêm

Liên hệ SSP

  • Address: 968 Đường 3 tháng 2, Hồ Chí Minh, Việt Nam

  • Phone: (+84) 125 7402339

  • Email: sspprogram@yseminar.vn

Theo dõi SSP